【情報電子工学科】中込研究室「試行錯誤し達成する喜びを」

　

　現在、中込真二研究室で取り組んでいるのは、「ワイドバンドギャップ半導体を用いたデバイスの研究」。
　青色発光ダイオードなどの電子部品に使用されるこの半導体は、大電力を低損失で制御することにも応用されています。

　中込研究室では、次世代のパワーデバイス用半導体材料として期待される酸化ガリウムという半導体に着目。異なる電気的性質を示す酸化ニッケルと組み合わせたヘテロ構造のダイオードを世界に先駆けて実現しました。
　学生たちは、結晶構造の異なる両者がどのようにつながるのかを論文にまとめ報告したほか、接合後の電気的特性、高温下での動作などについても学会で発表しています。
ただし、海外のグループもこの構造を模したデバイスを発表し始めたので、うかうかしていられません。
　学生たちは、デバイス作製のプロセスや、試作したデバイスの電気的特性の評価などに取り組む一方で、酸化ガリウム半導体を用いて有害な紫外線を検出するデバイスの開発にも挑戦しています。

　中込教授は、「学生たちに伝えたいのは『手を動かし、頭で考え、実際にやってみる』。ことの大切さ。そうした経験を積み重ね、試行錯誤しながら目的を実現・達成する喜びをぜひ味わってほしいと語っていました。